IGBT-Energie FUJI 7MBR25SA120-50 neues ursprüngliches Modul

1、7MBR25SA120-50 Produktbild

2、7MBR25SA120-50 Kernparameter und Eigenschaften

(1) Elektrische Parameter: 

· Nennspannung und Strom:

Die Nennspannung des Kollektor-Emitters beträgt 1200 V und der Nennstrom des Kollektors beträgt 35 A (einige Informationen sind mit 25 A gekennzeichnet, was sich auf das spezifische Paket oder die Charge beziehen kann), was für industrielle Szenarien mit mittlerer, hoher Spannung und hohem Strom geeignet ist.

· Verpackungsform:

Es nimmt ein modulares Paket mit einer Pinzahl von 24 an. Das Hauptmaterial der Verpackung ist nicht klar, aber es ist normalerweise ein Keramik- oder Harzsubstrat, um die Wärmeableitung und die elektrischen Isolationseigenschaften sicherzustellen.

(2) Leistungsmerkmale: 

· Niedriger Leitungsspannungsabfall:

Beim Nennstrom wird die Leitungsspannung reduziert, was die Verlustleistung reduzieren und die Systemeffizienz verbessern kann.

· Schnelle Schaltgeschwindigkeit:

Die IGBT-Struktur kombiniert die Vorteile der hohen Eingangsimpedanz des MOSFET mit der reduzierten Durchlassspannung des Bipolartransistors. Die Schaltgeschwindigkeit ist schnell und für Hochfrequenzanwendungen geeignet.

· Hohe Zuverlässigkeit:

integrierte Schutzfunktionen wie Übertemperatur, Überstrom und Kurzschluss zur Verbesserung der Systemstabilität.