IGBT FP75R12KT4-B16 Leistungsmodul
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IGBT FP75R12KT4-B16 Leistungsmodul
1、FP75R12KT4-B16 Produktbild
2、FP75R12KT4-B16 Produkt-Vorteil
· Hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungsdichte:
Die Verwendung der IGBT-Technologie mit gerillter Feldabschaltung in Kombination mit der Emittersteuerdiode der vierten Generation reduziert statische und dynamische Verluste erheblich und verbessert gleichzeitig die Leistungsdichte, die für Anwendungsszenarien mit hoher Leistung geeignet ist.
· Thermisches Design optimieren:
Das Kupfersubstrat und das Streuinduktivitätsmodul sind so ausgelegt, dass sie mit dem thermischen Schnittstellenmaterial zusammenarbeiten, um eine effiziente Wärmeableitung zu erreichen, den stabilen Betrieb des Geräts in einer Umgebung mit hohen Temperaturen sicherzustellen und die Lebensdauer zu verlängern.
· Geringer Schaltverlust und hohe Schaltfrequenz:
Die Fast TRENCHSTOP ™ IGBT4-Technologie reduziert Schaltverluste erheblich, unterstützt hochfrequenten Schaltbetrieb, verbessert die Systemeffizienz und reduziert elektromagnetische Störungen (EMI).
· Hohe Stromdichte und geringer Sättigungsspannungsabfall:
Einen niedrigen Vce beibehalten (ein) (2.25V@15V , 75A) bei 150A Strom, um Leitungsverluste zu reduzieren und die Systemeffizienz zu verbessern, insbesondere für Motorantriebs- und Wechselrichteranwendungen.
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2、FP75R12KT4-B16 Produkt-Vorteil
· Hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungsdichte:
Die Verwendung der IGBT-Technologie mit gerillter Feldabschaltung in Kombination mit der Emittersteuerdiode der vierten Generation reduziert statische und dynamische Verluste erheblich und verbessert gleichzeitig die Leistungsdichte, die für Anwendungsszenarien mit hoher Leistung geeignet ist.
· Thermisches Design optimieren:
Das Kupfersubstrat und das Streuinduktivitätsmodul sind so ausgelegt, dass sie mit dem thermischen Schnittstellenmaterial zusammenarbeiten, um eine effiziente Wärmeableitung zu erreichen, den stabilen Betrieb des Geräts in einer Umgebung mit hohen Temperaturen sicherzustellen und die Lebensdauer zu verlängern.
· Geringer Schaltverlust und hohe Schaltfrequenz:
Die Fast TRENCHSTOP ™ IGBT4-Technologie reduziert Schaltverluste erheblich, unterstützt hochfrequenten Schaltbetrieb, verbessert die Systemeffizienz und reduziert elektromagnetische Störungen (EMI).
· Hohe Stromdichte und geringer Sättigungsspannungsabfall:
Einen niedrigen Vce beibehalten (ein) (2.25V@15V , 75A) bei 150A Strom, um Leitungsverluste zu reduzieren und die Systemeffizienz zu verbessern, insbesondere für Motorantriebs- und Wechselrichteranwendungen.
Qualitätssicherung:
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· Hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungsdichte:
Die Verwendung der IGBT-Technologie mit gerillter Feldabschaltung in Kombination mit der Emittersteuerdiode der vierten Generation reduziert statische und dynamische Verluste erheblich und verbessert gleichzeitig die Leistungsdichte, die für Anwendungsszenarien mit hoher Leistung geeignet ist.
· Thermisches Design optimieren:
Das Kupfersubstrat und das Streuinduktivitätsmodul sind so ausgelegt, dass sie mit dem thermischen Schnittstellenmaterial zusammenarbeiten, um eine effiziente Wärmeableitung zu erreichen, den stabilen Betrieb des Geräts in einer Umgebung mit hohen Temperaturen sicherzustellen und die Lebensdauer zu verlängern.
· Geringer Schaltverlust und hohe Schaltfrequenz:
Die Fast TRENCHSTOP ™ IGBT4-Technologie reduziert Schaltverluste erheblich, unterstützt hochfrequenten Schaltbetrieb, verbessert die Systemeffizienz und reduziert elektromagnetische Störungen (EMI).
· Hohe Stromdichte und geringer Sättigungsspannungsabfall:
Einen niedrigen Vce beibehalten (ein) (2.25V@15V , 75A) bei 150A Strom, um Leitungsverluste zu reduzieren und die Systemeffizienz zu verbessern, insbesondere für Motorantriebs- und Wechselrichteranwendungen.
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